Несколько фотографий чипсета Snapdragon 835, дающие представление о его конфигурации и основных возможностях, появились в сети еще до презентации устройства на мероприятии CES 2017 в Лас-Вегасе. Он будет изготавливаться по 10-нанометровому техпроцессу на мощностях Samsung, поэтому будет гораздо компактнее Snapdragon 820 и Snapdragon 821, которые производились по нормам техпроцесса 14 нм.

По данным, показанным на роликах, база процессора SD 835 будет иметь восемь вычислительных ядер Kryo 280. По словам изготовителя, это ядро в данный момент является самой энергоэффективной процессорной архитектурой и, благодаря внесенным улучшениям, энергопотребление Snapdragon 835 снижено в два раза по сравнению с предшествующей моделью Snapdragon 801, т.е. флагманы образца 2017 года, должны быть не только мощнее гаджетов 2016 года, но и превосходить последних по автономности. Но как будет на практике, мы узнаем с появлением первых смартфонов на Snapdragon 835, которые, судя по последним данным, появятся не раньше второго квартала.

База чипа построена по традиционной схеме с применением двух четырехъядерных кластеров: высокопроизводительного, который будет работать на частоте 2,45 ГГц, и энергоэффективного, работающего на частоте 1,9 ГГц. Графику гарантирует улучшенное ядро Adreno 540, поддерживающее новейшие варианты стандартов DX12, OpenGL, ES и Vulkan.


В общем, Snapdragon 835 окажется вполне достойным обновлением Snapdragon 821.